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扫描式电子显微镜 (SEM)
元素分析 (EDS)

  • 扫描式电子显微镜(Scanning Electron Microscope,SEM)是利用微小聚焦的电子束(Electron Beam)进行样品表面扫描，以收集二次电子的讯号来成像。
  • 讯号源主要来自：二次电子、背向散射电子及特性X光…等
  • SEM可提供样品表面高解析度且长景深的图像，极利于微小区域的观察，同时结合EDS(X-射线能量散布能谱)的元素分析，让SEM/EDS成为半导体实验室不可或缺的重要仪器。
  • 设备种类：HITACHI SU3500
  • 设备能力：
    1. 影像解析度：
       7 nm (加速电压3kV、SE模式)
       10 nm (加速电压5kV、BSE模式)
    2. 加速电压：0.3~30kV
    3. 倍率：x5~300,000

傅立叶转换红外线显微镜 (FTIR-Microscope)

  • 利用样品吸收红外光，引起分子间的振动及转动，经由机台将产生的能量讯号转换成一般常见的红外线吸收光谱图。
  • 主要用于厂内所提供的未知物经过SEM/EDS初步判断是否为有机物，再透过FTIR-Microscope分析，比对资料库判断有机物的种类。
  • 设备种类：BRUKER LUMOS
  • 设备能力：
    1. 样品厚度：40mm
    2. 光谱范围：6000~650cm-1
    3. 光谱解析度：2cm-1
    4. 样品大小：>10*10μm

离子切割抛磨机 (Ion Milling System)

  • 离子切割抛磨机又名离子研磨机，此机台同时具备横截面研磨与平面研磨两种功能，并采用氩气作为离子源。
  • 样品在进行以往的机械式研磨时，无法避免因为应力所产生的变形、裂痕或刮痕，为了解决此现象我们采用离子研磨，利用离子束轰击样品表面，借此达到研磨的效果。
  • 设备种类：HITACHI ArBlade 5000
  • 设备能力：
    1. 横截面研磨样品尺寸：20*12*7mm (W*D*H)
    2. 横截面研磨效率：≥1000μm/hr
    3. 横截面研磨宽度：8mm
    4. 平面研磨样品尺寸：50*25mm (Φ*H)
    5. 平面研磨范围：Φ 32mm

双束聚焦离子束显微镜 (Dual Beam FIB)

  • FIB全名为Focused Ion Beam，为利用Ga(镓)作为离子源，藉由Ga离子束聚焦于样品表面达到切割的效果。
  • Dual Beam FIB 为配有电子束(e-beam)及离子束(i-beam)，故同时具有SEM及FIB的功能，这项技术能在切割前先利用SEM功能确认目标区域，再使用FIB功能进行样品切割。
  • 设备种类：FEI Helios NanoLab 600
  • 设备能力：
    1. SEM Resolution：1.6nm at 5kV
    2. FIB Resolution：5nm at 30kV
    3. SEM 加速电压：up to 30kV
    4. FIB 加速电压：up to 30kV
    5. 最大样品尺寸：150*150*32mm (X*Y*Z)
    6. Gas Injection System： Platinum、Carbon deposition

手持式X射线萤光元素分析仪 (XRF)

  • XRF为快速且非破坏性的物质检测分析。
  • XRF为利用X 光照射待测物表面，当原子受到高能量X光照射时，会因为内部电子的跃迁及外部电子的填补，而释放出能量-X光萤光(X-ray fluorescence)，由于不同元素所产生的萤光皆有所不同，所以可以利用此特性进行样品定性分析。
  • 设备种类：Olympus Vanta
  • 设备能力：
    1. 无样品大小限制
    2. 液体、粉体、固体皆可执行分析
    3. 检测元素范围：镁 (Mg) ~ 铀 (U)，侦测极限最低可达ppm等级
    4. 检测时间：RoHS检测项目40秒快速分析
    5. 有害物质分析 (RoHS)：铅(Pb)、镉(Cd)、汞(Hg)、溴(Br)、铬(Cr)
    6. 无卤素分析：总溴(Br)、总氯(Cl)
    7. 八大重金属：铅(Pb)、镉(Cd)、汞(Hg)、溴(Br)、铬(Cr)、砷(As)、硒(Se)、钡(Ba)