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掃描式電子顯微鏡 (SEM)
元素分析 (EDS)

  • 掃描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope,SEM)是利用微小聚焦的電子束(Electron Beam)進行樣品表面掃描，以收集二次電子的訊號來成像。
  • 訊號源主要來自：二次電子、背向散射電子及特性X光…等
  • SEM可提供樣品表面高解析度且長景深的圖像，極利於微小區域的觀察，同時結合EDS(X-射線能量散布能譜)的元素分析，讓SEM/EDS成為半導體實驗室不可或缺的重要儀器。
  • 設備種類：HITACHI SU3500
  • 設備能力：
    1. 影像解析度：
       7 nm (加速電壓3kV、SE模式)
       10 nm (加速電壓5kV、BSE模式)
    2. 加速電壓：0.3~30kV
    3. 倍率：x5~300,000

傅立葉轉換紅外線顯微鏡 (FTIR-Microscope)

  • 利用樣品吸收紅外光，引起分子間的振動及轉動，經由機台將產生的能量訊號轉換成一般常見的紅外線吸收光譜圖。
  • 主要用於廠內所提供的未知物經過SEM/EDS初步判斷是否為有機物，再透過FTIR-Microscope分析，比對資料庫判斷有機物的種類。
  • 設備種類：BRUKER LUMOS
  • 設備能力：
    1. 樣品厚度：40mm
    2. 光譜範圍：6000~650cm-1
    3. 光譜解析度：2cm-1
    4. 樣品大小：>10*10μm

離子切割拋磨機 (Ion Milling System)

  • 離子切割拋磨機又名離子研磨機，此機台同時具備橫截面研磨與平面研磨兩種功能，並採用氬氣作為離子源。
  • 樣品在進行以往的機械式研磨時，無法避免因為應力所產生的變形、裂痕或刮痕，為了解決此現象我們採用離子研磨，利用離子束轟擊樣品表面，藉此達到研磨的效果。
  • 設備種類：HITACHI ArBlade 5000
  • 設備能力：
    1. 橫截面研磨樣品尺寸：20*12*7mm (W*D*H)
    2. 橫截面研磨效率：≥1000μm/hr
    3. 橫截面研磨寬度：8mm
    4. 平面研磨樣品尺寸：50*25mm (Φ*H)
    5. 平面研磨範圍：Φ 32mm

雙束聚焦離子束顯微鏡 (Dual Beam FIB)

  • FIB全名為Focused Ion Beam，為利用Ga(鎵)作為離子源，藉由Ga離子束聚焦於樣品表面達到切割的效果。
  • Dual Beam FIB 為配有電子束(e-beam)及離子束(i-beam)，故同時具有SEM及FIB的功能，這項技術能在切割前先利用SEM功能確認目標區域，再使用FIB功能進行樣品切割。
  • 設備種類：FEI Helios NanoLab 600
  • 設備能力：
    1. SEM Resolution：1.6nm at 5kV
    2. FIB Resolution：5nm at 30kV
    3. SEM 加速電壓：up to 30kV
    4. FIB 加速電壓：up to 30kV
    5. 最大樣品尺寸：150*150*32mm (X*Y*Z)
    6. Gas Injection System： Platinum、Carbon deposition

手持式X射線螢光元素分析儀 (XRF)

  • XRF為快速且非破壞性的物質檢測分析。
  • XRF為利用X 光照射待測物表面，當原子受到高能量X光照射時，會因為內部電子的躍遷及外部電子的填補，而釋放出能量-X光螢光(X-ray fluorescence)，由於不同元素所產生的螢光皆有所不同，所以可以利用此特性進行樣品定性分析。
  • 設備種類：Olympus Vanta
  • 設備能力：
    1. 無樣品大小限制
    2. 液體、粉體、固體皆可執行分析
    3. 檢測元素範圍：鎂 (Mg) ~ 鈾 (U)，偵測極限最低可達ppm等級
    4. 檢測時間：RoHS檢測項目40秒快速分析
    5. 有害物質分析 (RoHS)：鉛(Pb)、鎘(Cd)、汞(Hg)、溴(Br)、鉻(Cr)
    6. 無鹵素分析：總溴(Br)、總氯(Cl)
    7. 八大重金屬：鉛(Pb)、鎘(Cd)、汞(Hg)、溴(Br)、鉻(Cr)、砷(As)、硒(Se)、鋇(Ba)