利用蚀刻液去除Wafer or Chip 表面上之Pad(AI/Cu..等)或Polyimide光阻层，蚀刻完成后观察Pad经过T/D测试后有无造成下层损毁受伤。也可使用此蚀刻方法观察Wafer表面有无受损或观察Layout线路有无受损。
湿蚀刻：去除铝垫层
VM2：使用显微镜检查蚀刻后barrier层的状况
IC 封装体去封胶
特殊封装体去封胶
取晶粒
IC 故障分析时，常因外部封装胶体阻挡无法观察其內部情况，因此必须利用蚀刻液进行湿式蚀刻，执行开盖(Decap)、去胶(去除封胶，Compound Removal)、取出晶粒等步骤，才能使封装体內包覆的物件裸露，方便观察封胶体內晶片、元件、打线是否有问题(如:Crack,chipping,刮痕....等)。
