利用蝕刻液去除Wafer or Chip 表面上之Pad(AI/Cu..等)或Polyimide光阻層，蝕刻完成後觀察Pad經過T/D測試後有無造成下層損毀受傷。也可使用此蝕刻方法觀察Wafer表面有無受損或觀察Layout線路有無受損。
濕蝕刻：去除鋁墊層
VM2：使用顯微鏡檢查蝕刻後barrier層的狀況
IC 封裝體去封膠
特殊封裝體去封膠
取晶粒
IC 故障分析時，常因外部封裝膠體阻擋無法觀察其內部情況，因此必須利用蝕刻液進行濕式蝕刻，執行開蓋(Decap)、去膠(去除封膠，Compound Removal)、取出晶粒等步驟，才能使封裝體內包覆的物件裸露，方便觀察封膠體內晶片、元件、打線是否有問題(如:Crack,chipping,刮痕....等)。
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